Тема 15.
Память
По своим свойствам устройства подразделяются на ПЗУ и ОЗУ.
ПЗУ (ROM) – это устройство, позволяющее сохранять
информацию вне зависимости наличия питания. Сначала с
помощью программаторов, потом с помощь высокого напряжения,
так же увеличилась емкость этих устройств.
ROM — (англ. read-only memory, постоянное запоминающее
устройство) — масочное ПЗУ, изготовляемое фабричным методом;
PROM — (англ. programmable read-only memory, программируемое
ПЗУ (ППЗУ)) — ПЗУ, однократно «прошиваемое» пользователем;
EPROM (англ. erasable programmable read-only memory) —
перепрограммируемое ПЗУ, например, содержимое микросхемы К573РФ1
стиралось при помощи ультрафиолетовой лампы. Для прохождения
ультрафиолетовых лучей к кристаллу в корпусе микросхемы было
предусмотрено окошко с кварцевым стеклом;
EEPROM (англ. electrically erasable programmable read-only memory
— электрически стираемое перепрограммируемое ПЗУ, память которого
может стираться и заполняться данными несколько десятков тысяч раз,
используется в твердотельных накопителях, одной из разновидностей
EEPROM является флеш-память; Основное отличие FLASH от EPROM –
посекторный доступ к записи и стиранию данных.
Память ОЗУ (RAM) данные устройства существуют двух видов
Static Random-Access Memory (SRAM) - при однократной записи
данные могут находится в этой памяти сколько угодно, до отключения
напряжения питания. и Dynamic Random-Access Memory (DRAM) - при
однократной записи данные могут находится в этой памяти сколько
угодно, до отключения напряжения питания, но лишь при условии их
периодического (раз в несколько миллисекунд) обновления.
SRAM основана на ячейках памяти, представляющих из себя
триггеры (flip-flop).
DRAM основана на ячейках памяти, представляющих из себя
конденсатор и транзистор, способный подзарядить этот конденсатор.
Таким образом ячейка памяти SRAM содержит на порядок больше
транзисторов, чем ячейка памяти DRAM, и соответственно SRAM
стоит дороже чем DRAM.
Рассмотрим, как выглядит периферия микросхемы SRAM.
Включает в себя вводы/выводы данных (I/O), входные сигналы
адресов. Количество входов адреса определяют емкость данной
микросхемы при подсчете 2 в степени количества адресных линий
умножить на количество линий данных (в битах).
Управляющие сигналы (входы):
Сигнал OUTPUT ENABLE (OE)отображает (выдаёт) содержимое
внутренних ячеек памяти устройства на выходы. Содержимое ячеек
памяти от сигнала OUTPUT ENABLE не зависит. Если сигнал OE
не активен, выводы устройства находятся в состоянии TRI-STATE
и как бы отключают устройство от выходных проводников, чтобы
не мешать другим устройствам пользоваться этими проводниками (шиной).
Сигнал WRITE ENABLE (WE), он же сигнал Read/Write (R/W)
определяет направление сигнала на выводах данных – Read – чтение,
Write- запись.
Сигнал CHIP SELECT (CS) – сигнал выбора микросхемы, когда он
не активен, все выводы микросхемы находятся в состоянии TRI-STATE.
Сигнал становится активным тогда, когда процессор обращается к
данной микросхеме, включает её.
Существуют микросхемы памяти, которые пользуются последовательной
шиной данных, такой как SPI или I2C. Они служат в основном как
хранилище данных (NVM (none volutime memory)) или хранят прошивку
в специальных системах ПЛИС.
Примеры микросхем:
Am29LV320D - 32 Megabit (4 M x 8-Bit/2 M x 16-Bit) CMOS 3.0
Volt-only, Boot Sector Flash Memory
K6R4008C1C-C - CMOS SRAM 512Kx8 Bit High Speed
Static RAM(5V Operating).
MT48LC4M32B2 - 1 Meg x 32 x 4 banks synchronous DRAM
AT24C256 - 2-Wire Serial EEPROM 256K (32,768 x 8)
bermanalexandr@gmail.com
Телефон администратора этой странички: +7 9827458948.